Algo que mucho tenemos muy claro y que no puede ser pasado por alto es que los grandes avances en tecnología siempre se producen cuando nos encontramos con un obstáculo insalvable, con un límite que no es posible sobrepasar. Esto es lo que está ocurriendo con la memoria RAM actualmente; los fabricantes se están topando con un muro, les cuesta cada vez más mejorar el rendimiento. Por ello, Samsung y Micron han aunado esfuerzos para crear el Hybrid Memory Cube Consortium, cuyas energías se están enfocando en el desarrollo de un nuevo tipo de memoria. Hoy, Microsoft ha anunciado que pasa a formar parte de este consorcio que, aparte de Samsung y Micron, cuenta con el apoyo de Altera, Xilinx, Open Silicon, e IBM.
Algunas informaciones brindadas por dicho consorcio, avalan que esta memoria HMC será un salto revolucionario, mientras que DDR4 representa simplemente una evolución. Lo cierto es que, en teoría, cuenta con sus argumentos para asegurarlo. Según afirman en su web oficial, el rendimiento que ofrece un solo HMC es 15 veces mayor que el de un módulo DDR3, usando 70% menos de energía por bit y un 90% menos de espacio que los RDIMMs de hoy. Habrá que seguir de cerca este desarrollo, ya que puede suponer un cambio radical no solo para los ordenadores, sino para tablets, móviles y todo tipo de dispositivos.
